일반기술
유도 회로 기판 바이어스 기술
무선 집적 회로의 가격과 전력을 더 낮추려는 시도는 더 높은 수준의 집적화를 만든다. 씨모스(CMOS:상보성 금속 산화막 반도체) 트랜지스터가 수년간 많이 향상되었지만 송수신 스위치에는 적절치 못한 것으로 남아있다. GaAs MESFET 또는 Si p-i-n diode와 같은 외부 개별 부품은 송수신 스위치처럼 필요하다. 최신식 씨모스에서는 N-채널 트랜지스터가 보통 지상 위치에 연결되어 있는 P형 회로기판을 공유한다. 본 기술은 MOS 트랜지스터 기판 접점과 지상 위치 사이에 있는 유도기를 소개한다. 트랜지스터가 전략적으로 고립된 지역에 위치하게 되면 유도기는 RF 주파수에서 높은 임피더스인 것처럼 행동함으로써 효과적으로 기판을 트랜지스터 부근에 놓는다. 트랜지스터를 가로 질러 고전력을 보내는 것을 가능하게 하고 삽입 손실을 최소화한다.- 표준 CMOS와 완전 통합된 디자인 - 삽입손을 최소화한다. - 직선성을 향상시킨다. - 격리를 강화시킨다. - 저 전력 소모 - 고 ESD 허용성 - 송수신 스위치를 RF 칩에 통합하는 것이 가능하다. - 트랜지스터를 가로 질러 고전력 송신이 가능- MOS 트랜지스터 기판 접점과 지상 위치 사이의 유도기 소개
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 중앙대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-07-15
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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