일반기술

다이아몬드막 작성을 위한 수소에칭을 부가처리한 저기압 BEN법에 의한 기반표면처리 기술

다이아몬드 박막은 경도뿐만 아니라 열전도율이 높고, 비유전율(比誘電率)이 낮은 성질을 가지고 있기 때문에 폭넓은 분야에 적용이 가능하지만 전자 디바이스에 적용하는 것이 가장 유망하다. 그 제작방법은 기상법(氣相法)이 주를 이루지만 다이아몬드 박막을 넓은 영역에 생성시키기 위해서는 넓은 영역에 균일한 핵발생을 일으키는 것이 중요하다. 본 기술은 BEN법(Bias Eenhanced Nucleation)을 낮은기압에서 행함으로써 플라즈마 영역을 확대하고 핵발생 영역을 광역화하는 것이다. 또한, 핵발생을 효율을 좋게 하기 위해 기판 표면상의 산화막을 미리 제거해 놓는 것이 필요하므로 수소 에칭처리를 행한다. 이러한 방법으로 계속해서 BEN법에 의한 핵발생을 일으키는 것이다.이 기술의 특징은 전처리를 에칭처리와 핵발생으로 분리하여 각각의 처리를 각각의 최적 조건하에서 행함으로써 핵형성을 가장 효율 좋게 이루어지도록 하는 것이다. 또한 핵밀도 증가에 관련하여 낮은 기압에서 행함으로써 핵발생을 광역화시키고 있다고 생각되어 진다. 기술의 용도로서는 모든 다이아몬드를 이용한 막재료에 이용할 수 있는 기술에 이용이 가능하며 특히, 고온(400 - 500℃)에서 작동하는 반도체 디바이스에도 유망하다.