일반기술
결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법
종래의 저온 플리실리콘(polycrystalline Si)은 비정질 실리콘을 저온에서 결정화시킨 것으로서, 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되고 있다. 박막 트랜지스터의 채널층으로 사용되는 저온 폴리실리콘막은 다양한 결정화방법을 이용하여 비정질 실리콘막을 결정화시킨다. 그러나 비정질 실리콘막을 결정화공정을 통해 저온 폴리실리콘막으로 결정화하는 경우, 그의 표면에 돌기가 형성되는 문제점이 있었다.본 발명의 목적은 상기한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 표면 거칠기를 개선할 수 있는 결정화방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는 데 있다. 다른 목적은 돌기부만을 선택적으로 제거하여 표면 거칠기를 개선함과 동시에 소자의 특성저하를 방지할 수 있는 결정화 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터의 제조방법을 제공하는데 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 박막 제조 기술 (B62, H64)
- 보유기관
- 조선대학교
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-07-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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