일반기술

실리콘-게르마늄 RF 반도체기술

실리콘-게르마늄의 통신용 고속반도체 제조기술을 이전하는 것으로 실리콘-게르마늄의 이종접합반도체 구조를 이용하여 소자의 동작속도가 45GHz 이상으로 0.8~5.8GHz 주파수대에 해다하는 무선 및 이동통신용 반도체 부품의 제작에 가장 적합한 기술임. 본 기술은 능동소자와 수동소자의 구조와 제작하는 공정기술과 관련된 일체의 특허권을 포함 o 무선통신소자연구부에서 수행하는 과제 "SiGe BiCMOS RFIC 부품 기술 개발"의 byproduct인 SiGe RF 반도체 기술을 이전함으로써 국내외적으로 가격과 기술경쟁력이 있는 SiGe 소자부품을 조기에 상용화하여 기술료수입을 극대화함. o 전 세계적으로 무선 및 이동통신이 급격히 확대되고 있으며, 다양한 고품위 통신기술의 출현과 고속화로 대변되는 시스템의 고성능화에 따라 무선/위성 통신용 고주파/고속소자의 시장이 급 증하고 있고, 지속적인 발전이 예상되어 산업체에서 RF 부품을 양산화할 필요가 있음.