일반기술
아이지비티의 제조방법
본 기술은 절연게이트 구조의 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 역 채널구조에서 캐소드와 애노드 사이에 p채널을 형성함과 아울러 p플러스 영역을 지정하여 그 위에 게이트 단자를 만들어 래치업 성능을 향상시키고, 테일전류특성을 차단하여 스취칭을 고속으로 수행할 수 있도록 한 아이지비티의 제조방법에 관한 기술이다.산업의 발전에 따라 소형전력변환 장치에 대한 수요가 급증하고 있다. 전력변환장치는 응용범위의 확대에 따라, 소형 경량화, 고효율화 등이 중요시 되어지고 있는데 기존의 전력 반도체 소자의 한계가 나타나고 있는 것이 현실이다. 본 기술은 MOSFET가 높은 입력임피던스와 바이폴라 트랜지스터가 갖는 낮은 온 저항 특성을 가지는 전력반도체 소자이다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 밸류넷코리아
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2003-07-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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