일반기술

구조인자 조절을 통한 극자외선 노광 공정용 Mo/Si 반사형 다층 박막

극자외선 노광 공정에 적용하기 위한 반사도가 우수한 반사형 다층 박막 미러의 제조 방법을 제시한다. 반사형 다층 박막 미러는 반도체 기판 상에 몰리브덴층과 실리콘층을 순차적으로 형성한 이중 구조를 40주기 반복하여 적층하여 형성하되, 적층 구조 최하위의 제1층, 제3층 및 제5층의 몰리브덴층 중 적어도 하나 이상의 몰리브덴층을 2.9～3.3㎚의 두께로 형성하며, 이때, 적층 구조의 제6층 이상의 몰리브덴층은 2.7～2.9㎚의 두께로 형성하고 상기 실리콘층은 3.9～4.1㎚의 두께로 형성한다.이와 같은 다층 박막 미러에 의하면 구조인자의 단순한 변경만으로 미러 제조를 위한 고가의 물질을 도입하지 않고도 고반사율의 극자외선용 다층 박막 미러를 제작할 수 있다.극자외선 노광용 반사형 미러로서 Mo/Si의 2층 구조로 이루어진 단위층을 다수 증착한 다층박막의 하부층 구조인자를 변화시킴으로서 비교적 손쉽게 극자외선 영역의 빛에 대해 고반사율을 갖는 다층박막 미러를 제작. 극자외선 노광공정용 다층 미러에 있어서, 기판 위에 Mo/Si의 2층 구조로 이루어진 단위층을 다수 증착한 다층박막으로 구성되며, 그 다층박막의 하부층의 구조인자를 변화시킴으로서 극자외선 영역의 빛에 대해 기존의 일정한 구조인자를 가지는 다층박막에 비해 고반사율을 갖는 것을 특징