일반기술

높은 유전상수를 갖는 게이트유전막을 이용한 반도체소자 및 그의 제조방법

본 발명은 실리콘 기판 위에 SiGe이나 Ge층을 소정 로 형성하거나, 기판자체를 Ge 이나 SiGe으로 구성하고, 하이-k를 갖는 유전체를 게이트 절연막으로 사용함으로써 게이트 산화막의 유효 두께를 2mm이하로 만들고, 그것에 의하여 반도체 소자의 구동성능을 향상시키기 우한 것이다. 본 발명의 반도체 소자는 실리콘보다 높은 홀 및 전자 이동도를 갖는 반도체 기판; 반도체 기판 상에 형성되고, SiO₂보다 높은 유전상수 값을 갖는 유전체 그룹으로부터 선택된 재료로 된 게이트 산화막; 게이트 산화막 상에 형성된게이트 전극; 및 게이트 전극의 양축의 상기 반도체 기판에 형성된 소오스/드레인 영역을 포함한다.하이-k를 갖는 유전체가 게이트 절연막으로 적용된 반도체 장치와 그의 제조방법에 관한 것이다.수직치수 축소로 게이트 유전체의 산화물 두께를 감소시켜 바람직한 디바이스 성능을 제공한다.