일반기술

저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기

본 발명은 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기에 관한 것으로, 보다 상세하게는 LiNbO3층보다 낮은 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 LiNbO3층의 두께를 최소화시켜, 레이저광과 RF 데이터 신호간의 위상속도 정합 및 특성임피던스 정합을 최적화시키고, 구동전압을 낮추고 변조영역의 길이를 줄일 수 있고, RF 데이터 신호의 전파 손실 및 광도파 손실을 최소화할 수 있으며, 광대역 주파수 특성이 왜곡되는 현상을 방지할 수 있는 저 유전율 기판을 이용한 저전압 광 변조기에 관한 것이다. 본 발명은 저 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 LiNbO3층의 두께를 최소화함으로써, 이 기판을 고용하여 제조된 광변조기는 레이저광과 RF 데이터 신호간의 위상속도 정합 및 특성임피던스 정합이 최적화되며, 구동전압을 낮출 수 있고 변조영역의 길이를 줄일 수 있는 효과가 발생한다. 또한 변조영역의 길이를 줄여, RF 데이터 신호를 인가하는 전극의 길이를 감소시켜, RF 데이터 신호의 전파 손실 및 광도파 손실을 최소화할 수 있는 효과도 있다. 그리고, LiNbO3층보다 낮은 유전율을 갖는 기판의 상부에 LiNbO3층을 형성하여 유효 유전율을 낮춤으로써, 광대역 주파수 특성이 왜곡되는 현상을 방지할 수 있어, 광대역 광 변조기를 구현할 수 있는 효과가 있다.