일반기술

웨이브가이드 광 싸이리스터

본 기술은 광통신용 소자의 개발에 있어 LD(Laser diode)동작이 가능한 고속 광스위칭 소자인 웨이브가이드 광 싸이리스터에 관한 것이다. 고속 스위칭을 위해서는 주파수특성이 좋은 LD(Laser Diode)의 동작을 가능하게 하는 구조가 필수적이다. 현재 급속히 팽창하고 있는 광통신용 소자의 개발에 있어 LD동작이 가능한 광스위칭 소자가 절대적으로 필요한데 아직 제시되지 않은 문제점이 있다. 본 기술의 광통신을 위한 광스위칭 소자 시스템은 접지와 연결되고 에너지 밴드가 큰 N+층, 작은 에너지 밴드갭을 가진 p층 과 n층, 전압이 가해지는 금속과 연결되어 있는 P+층으로 구성된다. 그리고 이 광 싸이리스터를 접지 도체 위의 좌측에 제 1 싸이리스터, 접지 도체 위의 우측에 제 2 싸이리스터, 일정 전압을 제공받기 위해 전지(V)와 연결된 부하저항(RL)에 연결되어 전극이 공통으로 연결되고, P+-n-p-N+ 의 이중이종 접합구조로 차분방식으로 적용된 제 1 싸이리스터와 제2 싸이리스터의 P+층 위에 전위를 가하기 위해 설치한 금속판, 제 1 싸이리스터 및 제 2 싸이리스터의 좌우측면의 빛이 새어나가는 것을 방지하기 위해 광 가이드를 하는 공기 또는 폴리마이드(PMMA) 등의 광굴절률이 반도체의 굴절률보다 작은 물질로 구성된다.- 본 기술에 의한 웨이브가이드 광 싸이리스터는 고속의 레이징(lasing)이 가능한 웨이브가이드(waveguide) 형태의 광 싸이리스터(thryistor)를 제시하여 주파수 특성을 개선하여 스위칭 속도를 향상시켜 높은 광흡수도를 유도하여 광수신효율과 광출력효율을 크게 향상시키며 광통신에 있어서 고속의 광스위칭 소자를 제공함에 따라 일정한 진폭을 유지시켜주는 광 하드 리미터(optical hard-limiter), ATM 패킷 헤더 프로세싱을 위한 광 ATM 패킷 스위칭 등의 많은 광통신 응용분야에 적용할 수 있는 효과가 있음