일반기술

이종 접합 광싸이리스터(HOT) 및 작동방법

본 기술은 다중양자우물(MQW) 및 사분파 하부반사층(QWRS)을 포함하고, 빛(光)을 이용하여 스위칭 및 논리기능을 수행하는 이종접합 광싸이리스터(DHOT) 및 그 구동방법에 관한 것이다. 일반적인 4층구조의 PnpN(또는 NpnP) 싸이리스터(thyristor)가 동일한 반도체층(P-type 또는 N-type)을 4개의 층으로 성장시킨 것과는 달리, 본 기술의 이종접합 광싸이리스터(Hetero-junction Optical Thyristor)는, 중앙 4층구조 하부에, 사분파 하부반사층(Quarter Wavelength Reflector Stack, QWRS)을 성장시키고, 동작의 핵심을 이루는 중앙의 pn층은 다중양자우물(Multiple Quantum Well, MQW)구조를 적용하였다. 그리고, 이러한 이종접합 광싸이리스터(Hetero-junction Optical Thyristor)의 작동방법은, 2개 이상 광싸이리스터(Optical Thyristor)를 병렬로 연결하여 각각 에너지크기가 다른 빛(光)을 입사시킨 상태로 동작전압을 인가하므로써, 1개의 광싸이리스터(Optical Thyristor)를 동작시킨다.- 본 기술은, 중앙영역 하부에 사분파 하부반사층(quarter wave-length reflector stack, QWRS)을, 중앙의 중앙영역에 얇은 다중양자우물(multiple quantum well, MQW)층을 적용하여 광반응성 및 반사효율을 증대시키고, 광반응성(optical sensitivity) 및 스위칭 속도를 향상시킨 이종접합 광싸이리스터(HOT) 반도체소자는 물론, 차분구도에 의한 광싸이리스터의 효과적인 스위칭 방법을 제공함