일반기술

피플러스­앤­아이­피­앤플러스 진행파형 전계 흡수 광변조기

본 기술은 진행파형 전계 흡수 광 변조기에 있어서 광파(Light wave)와 마이크로웨이브(Microwave)의 위상 속도를 정합시켜 소자의 대역폭을 향상시키기 위한 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기에 관한 것이다. 일반적으로, 외부 전계 흡수 광 변조기는 낮은 구동 전력과 높은 소광비, 고주파 응답 특성, 레이저 다이오드(LD)와의 단일 집적 용이 등이 장점으로 고속 대용량의 정보 처리를 요구하는 통신 시스템에 있어서 필수적인 광전 소자로 각광받고 있다. 본 기술은 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에 있어서: 반-절연체 물질인 S.I.기판(Semi Insulating substrate), S.I.기판 위에 도핑되어 마이크로웨이브(microwave)의 전송모드가 slow-wave 모드에 있게 하기 위한 P층 및 N층, i층은 bulk 혹은 다중 양자 우물(Multiple Quantum Well:MQW) 등으로 구성되고, 광파(Light wave)를 흡수하여 광세기가 변조되어 변조된 광파(Modulated Light wave)를 제공하는 p-i-n 다이오드, p-i-n 다이오드의 N+층 위에 형성된 P층, p-i-n 다이오드의 P+층 밑에 형성된 N층, 광파(Light wave)가 새어 나가지 않도록 P+-n-i-p-N+ 층의 광파의 측면 구속을 위한 도핑이 없는 유전체 물질인 PMMA(polymide) 혹은 공기 및 소자에 역 바이어스(reverse bias)를 걸어주도록 P+층과 상기 PMMA층에 설치된 신호 전극(+)(11)과 N+층 위의 좌단측과 우단측에 형성된 접지 전극(GND)(12,13)으로 구성된다.- 본 기술에 의한 P+-n-i-p-N+ 진행파형 전계 흡수 광 변조기는 진행파형 전계 흡수 광 변조기(TW-EAM)에서 각 P+, n, p, N+ 층의 도핑과 구동 전압의 적절한 선정으로 발생되는 공핍층 두께의 조정이 가능하게 되어 속도 조정의 폭이 커지므로, 바이어스 전압 조절에 의한 마이크로웨이브(microwave) 속도(Voltage-controlled microwave velocity) 조정이 가능해지므로 이런 효과를 이용하여 마이크로웨이브와 광파의 속도 정합이 이루어지게 되고, 이는 변조 신호의 선형성을 개선하여 소자의 대역폭을 향상시킬 수 있는 효과가 있음