일반기술

N(-)-I-N(+)구조의 전계흡수 광변조기

본 기술은 주파수가 높은 수 기가헬쯔[GHz]대 이상의 RF신호를 수 볼트대의 낮은 전압으로도 효과적으로 광변조하는 N--i-N+구조의 전계흡수 광변조기에 관한 것이다. 신호를 포함하고 있는 광(光)을 이용하는 광통신시스템은 다량의 정보를 고속으로 전달하는 등의 많은 이점으로 인해 차세대 통신수단으로 예견되고 있다. 이러한 광통신시스템에서 RF(Radio Frequency)신호를 광학적 신호로 변조하는 광변조기(optical modulator)는 필수적인 광전소자이며, 광변조기의 종류 중 광변조기의 외부로부터의 RF신호에 따라 그 세기가 변화되는 전계(electric field)를 이용하여 RF신호를 광변조하므로써 많은 정보의 고속처리에 효과적인 전계흡수 광변조기(Electro-Absorption modulator 또는 EA-modulator)에 대한 관심사가 증가하고 있다. 본 기술에 따른 N--i-N+구조의 전계흡수 광변조기는, 특정농도의 불순물이 첨가된 제1 N형물질층, 제1 N형물질층의 상부에 형성되며 광변조를 위한 광이 입사되는 진성(intrinsic)물질층 및 진성물질층 상부에 형성되며 특정농도보다 낮은 농도로 불순물이 첨가된 제2 N형물질층을 포함하고, 전기적인 신호는 제1 및 제2물질층을 통해 인가된다.- 본 기술은 수 볼트대의 낮은 전압하에서도 높은 광변조효율을 유지하며, 광파와 RF신호의 속도정합이 가능하며 RF신호의 변조손실을 현저히 감소시켜 광변조기의 변조대역폭을 증가시키므로써, 고속 대용량의 정보처리를 위한 핵심적 광전소자로 광통신 관련분야에서 다양하게 응용될 수 있는 효과가 있음