일반기술

나노미터 영역 파장의 극자외선을 측정하는 기술

이 기술은 Reflectometer를 통해 나노미터 영역의 극자외선(Extreme Ultraviolet Radiation-이하 EUV) 파장의 빔을 측정을 가능케 하는 기술이다. 측정방법은, monochromator(분광 단색화 장치)를 통해 원하는 파장(극자외선)의 단색광(single color)을 매우 정확하게 샘플링하고, 추출한 빔을 goniometer chamber(측각기실)로 보낸다. 그리고, 이 빔은 진공상태인 측각기실 내에 장착된 EUV mirror의 표면에 쏘아지는데, 이에 반사된 빔에 담겨 있는 정보를 분석하는 것이다. 이 기술은 광리소그라피 기술을 대체할 것으로 기대되며, 회로 설계 패턴을 실리콘 웨이퍼에 투영하는데 있어 강렬한 자외선을 이용하는 것이다. 이때, 자외선은 렌즈를 통해 굴절되기보다는 언급한대로 거울에 반사되어지는데, 이 기술의 핵심장치인 EUV mirror는 정확하게 빛을 반사할 수 있도록 완벽하게 제작되었다.광리소그라피(photolithography-광학 석판 인쇄술)는 현재의 마이크로전자 분야의 눈부신 발전을 가능케 했다. 하지만, 13 나노미터 영역의 파장을 지닌 빔은 기존의 광학시스템으로는 그 정확한 측정이 불가능하다. 많은 제조업자들이 2010년까지 극자외선을 이용한 컴퓨터 칩 제작설비를 갖추기 위해 경쟁하고 있는데, 이 기술을 통해 더 빠른 생산과 사이즈 소형화가 가능해 짐으로 인해, 미래에 경쟁력 있는 컴퓨터 칩의 생산을 가능케 될 것으로 보인다.