일반기술

아날로그 회로에서 MOS 트랜지스터 면적 최적화 기법

이 기술은 CMOS 아날로그 회로 회로의 동작 특성을 최적하하기위해 개발된 트랜지스터 면적 최적화 기법 기술이다.보통 CMOS 아날로그 오피 앰프의 회로 동작 특성은 공정요인, 트랜지스터의 면적등에 의한 부적합성으로 인하여 감소되는 특성이 있다. 이 회로의 동작 특성을 최적화 하기 위해서는 위에 열거된 인자들을 최적화 시켜야 하는데, 이를 위해 개발된 기술이 바로 이 아날로그 회로에서의 MOS 트랜지스터 면적 최적화 기법 기술이다. 이 아날로그 회로에서 MOS 트랜지스터 면적 최적화 기술을 이용하면 면적에 의한 부정합, 저주파 노이즈 특성 및 회로 전체에서 신호 특성을 최적화한 회로 면적을 얻을 수 있다. 또한 이 기술은 트랜지스터 면적 최적화 기법 구현을 위해서 Lagrange 식을 이용 하였는데, 기존의 Monte-Carlo 방법과 비교해 볼 때 시간 소비를 훨씬 절약 할 수 있으며, 또한 더욱 더 간단한 방법으로 회로 시뮬레이터에 삽입 할 수 있다는 장점을 가진다.