일반기술

초고속 Si/SiGe, Ge/SiGe MODFET 기술

이 초고속 Si/SiGe, Ge/SiGe MODFET 기술은 SiGe 기술을 종전의 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조에 적용시킨 기술이다.Daimler-Chrysler, IMEC, 독일 슈투트가르트 대학과 IEF가 연계하여 진행되는 SIGMUND 프로젝트에서 연구되어진 이 기술은 SiGe을 HEMT과 유사한 구조로 이끌어 냄으로써, 종전의 CMOS process를 이용하여 SiGe 구조를 생산 할 수 있기 때문에 매우 빠른 Si 칩 양산을 가능케 하는 기술이다.또한 CMOS 기술과 호환되는 Si/SiGe 로 그 핵심 부품이라 할 수 있는 극초단파회로 (Microwave circuit)의 높은 가격을 크게 줄였다 할 수 있다.SiGe은 기존의 Si에 비해 대단히 빠른 전자 이동도를 가지고 있으나, 종전의 공정 기술과는 다른 공정 스텝을 가지고 있어, 상업화의 단점으로 작용하고 있다는 평가를 받아왔던게 사실이다. 그러나 이 SIGMUND 프로젝트에서 개발된 SiGe는 HEMT 구조에 적용되어 개발되었으므로, 종전의 CMOS process를 이용하여 SiGe 구조를 생산 할 수 있어 매우 빠른 Si 칩을 만들 수 있다는 장점이 있다. 또한 가격면에서도 훨씬 더 경쟁적인 입장에서 시장 점유의 유리한 위치에 있다 할 수 있겠다.