일반기술

ICP RIE를 이용한 나노전자소자 및 MEMS 패턴 식각기술

ICP RIE를 이용하여 나노 전자소자 및 나노 전기기계 시스템(MEMS)제작에 필수적인 미세 패턴 형성 및 평가기술, 그리고 플라즈마 손상에 의한 소자 특성 열화방지기술 본 기술은 ICP RIE를 이용한 나노 전자 소자 및 전기기계 시스템의 제작에 있어서 미세 패턴 형성 기술 및 플라즈마 손상에 의한 소자 특성의 열화를 방지하여 높은 신뢰성을 가지는 소자를 제작할 수 있는 기술로서 나노 공정용 ICP RIE 장비를 개발하고자 하는 업체 및 ICP RIE를 이용하여 나노 사이즈의 전자 소자 및 전기기계 시스템을 제작하고자 하는 업체들에 활용할 수 있을 것으로 기대된다.o 나노 전자소자 및 나노 전기기계 시스템(NEMS) 제작에 있어서 ICP RIE를 이용하는 미세 패턴 형성 공정은 소자의 미세화를 통한 집적도의 향상 및 소자의 저전력화, 고속화, 고감도, 고성능화를 달성하기 위하여 필수적인 핵심 기술이다. 따라서, 나노 사이즈의 미세 패턴 형성을 위하여 ICP RIE를 이용한 건식각 공정은 높은 식각 속도와 재료에 따른 고도의 선택비 및 제어성능이 요구된다. 또한, 나노 전자 소자 및 전기기계 시스템을 제작하기 위해서는 공정의 재현성과 플라즈마 식각에 의한 물리적, 전기적 손상이 매우 낮아야만 하며, ICP RIE를 이용한 미세 패턴 형성, 소자 제작 기술, 플라즈마 손상 감소 및 소자 열화 방지 기술은 나노 전자소자 및 전기기계 시스템의 실용화를 위한 필수불가결의 기반 기술이다.