일반기술

광대역 파장 가변 반도체 레이저 다이오드모듈

1.Widely Tunable Laser Diode 설계, 제조 및 특성 측정 2.Widely Tunable Laser Diode 칩 패키지 기술 3.Widely Tunable Laser Diode 에피성장 기술 4.Widely Tunable Laser Diode Module 구동보드 설계 및 특성 측정 목적 통신 대역폭의 수요는 매년 지속적인 증가를 보이고 있어,광대역 초고속 광통신소자의 개발이 요구되며, 이를 위한 핵심 기술 중의 하나로서 광통신용 파장 가변 레이저(tunable laser) 기술이 국내에서 확립되어 상용화 제품을 생산할 수 있도록 개발된 기술을 국내업체에 기술이전함.필요성 대용량의 정보를 전송하고 분배/교환하는 기능을 통합한 WDM 네트워크는 궁극적으로 고품질의 정보를 각 개인에게 저렴하게 제공하는 인프라로서 지식 기반 사회의 중추적인 역할을 수행할 것이다. 이러한 WDM 네트워크의 구축을 가능케 하는 핵심 광소자로서 발진 파장이 WDM 파장 영역전체를 지원할 수 있는 광원으로 파장가변광원이 부각되고 있다. 파장 가변 광원은 단일 파장 발진 구조와 공진 조건을 변화시키는 구조를 복합한 반도체 레이저로서 여러 개의 조정용 전극을 통해 출력 광파장이 가변되는 기능을 가진다. 파장 가변광원은 WDM 광네트워크의 실현을 가능케 하는 필수 광부품으로서 같이 광송신부, 광교환부 및 광수신부 전체를 포함한다. 기존의 고정용 WDM 광원기술은 이미 널리 상용화 및 실용화가 된 반면에, 아직 기술이 성숙지 못한 파장가변 반도체 광원에 대해서는 최근에 수요의 증가와 더불어 관련제품 개발에 대한 선진국들의 경쟁이 심화되고 있으므로 된 국내에서 상용화 기술개발이 시급하게 요구되고 있다.