일반기술

근접장 광학 원리를 이용한 리소그라피 기술

광 근접장 증폭 Lithography 장치는 고가의 E-Beam Lithography 장치를 대체할 수 있는 장치로서, 탐침 끝단 직경이 파장 이하인 미세한 광 파이버 탐침을 이용하여 PR(photo resist)과 광 파이버 탐침 사이의 거리를 광접근장 영역(100mn)에서 제어하고, 레이저 광원 (파장 : 650mn)을 이용하여 일반적인 광학계에서 발생하는 회절한계를 극복하여 파장 이하 크기인 500mn 선폭의 미세 패턴을 PR(photo resist) 위에 감광 시킬수 있는 장치임- 근접장 원리를 이용하여 광의 회절 한계를 극복하여 파장이하의 선폭 형성- 패턴 형성시 나노미터 정밀도의 정확한 움직임을 위해 이중복합 판스프링 유연기구를 이용하여 PZT로 구동되는 3축 스캐너를 설계, 제작. 이용하였다.- 전단력제어 기법을 활용하여 파이버 탐침과 시편 사이의 거리를 근접장 영역에서 일정하게 유지- 전단력 제어 신호를 이용하여 시편의 3차원 표면형상을 측정- 리소그라피를 이용하여 PR웨이퍼 위에 -5µm, 5µm 간격으로 선폭 500 nm의 미세 패턴 감광- 광 근접장 증폭 Lithography 장치는 수백 nm이하 선폭의 미세 패턴을 형성 시킬수 있기 때문에, 고가의 e-beam Lithography 장치를 대체할 수 있음- 근접장 효과를 이용하여 파장 이하의 미세 패턴을 형성시키고 응용하면 대용량 기억 장치로 활용- 개발된 3축 초정밀 스캐너는 정밀한 움직임이 필요한 AFM, Confocal Micrascope 등의 정밀 측정 장비의 스캐너로 활용 가능