일반기술
펜타센 박막 트랜지스터 제조방법
펜타센 박막의 증착시간을 단축해서, 펜타센박막을 사용하는 유리박막트랜지스터의 전공이동도를 보다 향상시킬 수 있도록 하는 펜타센 박막트랜시스터 제조방법을 제공한다. 다결정/단결정 실리콘 기판상에 실리콘 질화막 게이트 절연막을 형성한 후, 게이트절연막의 중앙상부에 비정질-결정질 혼합상의 결정구조를 가지는 펜타센박막을 형성하고, 펜타센 박막의 상부일부와 게이트 절연막의 상부일부에 소스/드레인전극을 형성하고, 다결정/단결정 실리콘기판의 저면에 게이트전극을 형성한다. 펜타센 박막의 상온에서의 증착속도를 변화시키며, 그 속도의 변화에 따른 이동도의 변화를 측정하여 최적의 특성을 갖도록 하며, 펜타센 박막을 비정질과 결정질이 최적의 비율로 혼합되어 이동도, 점멸전류비의 특성이 우수한 것을 그 특징으로 한다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-02-19
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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