일반기술

유기박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

실리콘 산화막이나 실리콘 질화막과 같은 게이트 절연막은 보통 고온에서 형성되기 때문에 쉽게 녹는 유리기판이나 플라스틱 기판 등에서 사용하기 어렵고, 이들 물질들은 유리기판 등에서 적용하기 위해서는 반응성 화학기상증착방비와 같이 고가의 장비가 이용되어야 하는데, 이로 인하여 제조비용이 높아지게 된다. 이에 저가 및 대량생산이 가능한 유기 박막 트랜지스터를 개발하기 위해서는, 유기 반도체막의 개발 외에도 스퍼터와 같은 저가의 장비에서 저온에서 게이트 절연층을 형성하기 위한 요구되는 기술이다. 비정질 알루미늄 산화막을 유기 박막 트랜지스터의 게이트 유전층으로 사용할수 있는 유기박막 트랜지스터를 제공하며, 게이트 유전층을 저온에서 대면적을 형성할 수 있는 유기 박막 트랜지스터이다. 유기 박막 트랜지스터는 15V 이하로 구동이 가능하고 발광효율이 높아 전력소모가 적으며 TFT LCD의 박막트랜지스터 공정이 필요없기 때문에 생산원가를 LCD의 절반 이하로 줄일수 있다