일반기술

질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법

본 기술은 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법에 관한 것으로, 사파이어기판 전면에 형성된 단결정 질화갈륨과, 질화갈륨 위에 마스크를 이용하여 부분적으로 형성한 전극과, 전극이 형성되지 않은 질화갈륨 위에 증착된 촉매와, 사파이어기판 뒷면에 티탄과 백금을 차례로 형성시켜 제작된 히터를 포함하여 구성됨을 특징으로 하여, 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법을 적용하면, 모재로 사용하는 화합물 반도체인 질화갈륨은 질화갈륨의 소재 특성인 갈륨원자의 결핍으로 인해 n형 반도체가 형성되어, 종래의 산화물 반도체에 비하여 안정성이 월등히 뛰어나고 또한 전도도 변화요인이 되는 환경 인자 즉, 가스 등의 원상복귀에 따른 전기 전도도 값의 복귀성이 뛰어나고 이들 성질로 인한 특성의 불안정성의 문제를 아울러 해결한 형태로 신뢰성 있는 첨단 가스센서에 관한 것이다.- 질화갈륨을 이용한 고안정성 가스센서 및 제조방법을 적용하면, 모재로 사용하는 화합물 반도체인 질화갈륨은 질화갈륨의 소재 특성인 갈륨(Ga)원자의 결핍으로 인해 n형 반도체가 형성되어, 종래의 산화물 반도체에 비하여 안정성이 월등히 뛰어남,- 전도도 변화요인이 되는 환경 인자 즉, 가스 등의 원상복귀에 따른 전기 전도도 값의 복귀성이 뛰어나고 이들 성질로 인한 특성의 불안정성의 문제를 아울러 해결한 형태로 신뢰성 있는 첨단 가스센서의 구현을 할 수 있음.