일반기술

폭발성가스 검지용 후막형 반도체 가스 센서어레이 및 그제조방법

본 기술은 후막형 반도체 가스 센서어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 기술은 백금페이스트를 이용해서 알루미나기판의 앞면에다 실크 스크린프린팅하여 다수의 전극을 형성함과 더불어 알루미나기판의 뒷면에는 히터를 형성시켜 800℃∼1200℃로 5분 내지 30분 정도 열처리 하고, 전극 상에 실크 스크린프린팅으로 다수의 감지물질을 형성한후 100℃에서 1시간 건조시킨 다음 700℃내지 900℃로 1시간 내지 4시간 범위에서 열처리 하며, 은페이스트를 이용하여 핀을 각 전극에다 고정시켜 상온에서 24시간 건조시킨 후 100℃내지 300℃에서 1시간 내지 3시간 동안 열처리하여 센서를 제조하는 방법에 관한 것이다.- 단일 가스센서가 갖고 있는 다른 종류의 폭발성가스에 대한 선택성의 결핍과 시간에 따른 신호변동으로 생기는 경보기나 계측기의 성능저하 및 오동작을 제거할 수 있을 뿐만 아니라 폭발성가스(부탄, 프로판, 메탄 등)를 선택적으로 인식 및 정량화할 수 있음.- 주변 소자 히터의 온도편차로 생기는 열적영향 및 공간적 외란을 제거하고, 센서의 공간적 분리로인하여 측정대상 가스의 공간적 불균일 또는 미소한 가스의 와류에 의한 센서신호의 변동 가능성을 배제하며, 안정하고 높은 감도를 가지면서 제작상의 공정이 용이한 선택성을 갖음