일반기술

차세대 집적회로 배선공정용 동박막의 일렉트로마이그레이션향

본 기술은 반도체를 이용한 여러 IC소자에 있어 배선공정에서의 일어나는 문제점 중에 하나인 고전류 흐름에 의한 배선 원자의 이동(Electromigration)을 지연시키는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 소자의 특성을 저하시키지 않고 종래의 배선에서 발생되어지는 문제점인 Electromigration에 대하여 TiN위에 Al을 증착하여 높은 저항성을 가지는 배선구조를 갖게 하는것이다. Al의 두께가 고속 스위칭속도에 미치지 않는 범위까지 증착하는 기술이 필요로 되어진다. 본 기술은 Sputter법에 의하여 증착된 TiN위에 진공증착법에 의하여 Al을 배선의 저항이 증가하지 않는 범위까지 얇게 수백∼수천Å 증착한 후 화학 기상 증착법(CVD), 또는 전기도금법(Electroplating)으로 Cu를 완전하게 성장시킨다.- 본 rltnf은 단순히 Electromigration에 대한 저항성을 향상시키는 것 외에 표면의 전기전도도가 높은 물질일수록 화학 기상 증착법(CVD), 전기도금법(Electroplating)에 있어 Cu가 증착이 잘되기 때문에 기존의 TiN보다는 전기전도도가 우수한 Al위에서의 Cu증착이 보다 높은 증착율을 가질 수 있음- 앞으로의 배선구조의 형태가 될 trench구조에서는 TiN의 면적이 보다 더 커지므로 본 기술로 인하여 차세대 반도체 공정에 있어 electromigration대하여 더 높은 저항을 가질수 있음