일반기술

ＤＲＩＥ를 이용한 초소형 실리콘 압력센서용다이아프램의 제조

본 기술은 센서 cell 크기에 대하여 상대적으로 넓은 다이아프램을 가지게 할수 있는 DRIE를 이용한 다이아프램 형성에 관한 것이다. 본 기술의 DRIE는 실리콘 에칭 방법으로 고농도(inductively coupled) 플라즈마 소스(source)를 사용하고 실리콘 에칭과 고분자 보호층 증착을 번갈아 하면서 고종횡비(high-aspect-ratio)를 이룰 수 있다. 본 기술방법은 기존의 실리콘 이방성 에칭으로 다이아프램을 형성시 문제점인 센서 cell과 다이아프램 크기의 제한을 극복할 수 있다. DRIE는 실리콘 에칭 방법으로 고농도(inductively coupled) 플라즈마 소스(source)를 사용하고 실리콘 에칭과 고분자 보호층 증착을 번갈아 하면서 고종횡비(high-aspect-ratio)를 이룰 수 있다 . 따라서 같은 크기의 센서 cell에 더 넓은 다이아프램을 실현할 수 있어 고감도를 이룰수 있고, 불필요한 공간이 없어 초소형으로 실리콘 압력센서를 제조할 수 있다. 특히 SDB 웨이퍼를 사용할 경우 DRIE는 SiO2 층에 대하여 에칭스탑(etch-stop) 되기 때문에 균일한 두께의 다이아프램을 형성시킬 수 있다.- 기존의 실리콘 이방성 에칭시 다이아프램의 크기가 제한되는 점을 개선하여 DRIE를 이용하여 다이아프램을 형성함으로서, 같은 크기의 센서 cell에 더 넓은 다이아프램을 실현할 수 있어 고감도를 이룰수 있고, 초소형으로 실리콘 압력센서를 제조할 있음.- 최근 압력센서의 소형화에 발맞추어 기존의 실리콘 이방성 에칭방법을 개선하여, DRIE를 이용한 고종횡비 실리콘 에칭으로 더욱 효율적인 다이아프램을 형성할 수 있는 공정임- 의료용 압력센서와 같은 초소형 압력센서의 경우 DRIE를 이용하는 방법이 다른 방법보다 유리함