일반기술

브래그 반사층 구조와 멤브레인 구조의 스택결정필터의 변형된 등가회로 구성 방법

SCF 공진특성은 전자기파의 공진이 아닌 탄성파의 공진을 이용하기 때문에 각 층의 탄성 임피던스에 따라서 특성이 바뀌게 된다. 또한 두께 공진을 이용하기 때문에 각 층의 두께에 따라서도 필터의 중심주파수가 달라진다. 이와 같은 이유로 비압전층을 고려한 분석이 필요하다. SCF의 특성을 분석하기 위한 등가회로에는 BVD(Butterworth Van-Duke) 등가회로와 메이슨(Mason) 등가회로가 있다. BVD 등가회로는 탄성적 파라미터를 집중소자화시켜 설명할 수 있는 모델링으로서, 필터의 파라미터들이 R, L, C 성분으로 구성되어 있어 단순하고 공진주파수를 쉽게 구할 수 있다는 장점이 있으나, 반사층과 멤브레인층에 의한 공진특성 변화를 고려할 수 없다는 단점이 있다. 반면, 메이슨 등가회로는 압전층과 비압전층의 결합으로 구성되어 있어 반사층 및 멤브레인층에 의한 공진특성을 분석할 수 있으므로 SCF의 공진특성을 분석하기 위해서는 메이슨 등가회로가 적합하다. 하지만, SCF의 특성을 분석하기 위해서는 2-port 회로가 필요하지만 메이슨 등가회로를 그대로 적용할 경우 압전층이 1-port의 전기적 부분과 2-port의 기계적 부분으로 나뉘어져 있어 메이슨 등가회로 자체로는 필터 특성을 분석할 수 없다는 문제가 있다.본 기술은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 브래그 반사층 구조와 멤브레인 구조의 SCF의 특성을 분석하는 변형된 등가회로를 구성하며, 본 기술은 상부전극층의 음향학적 경로를 나타내는 변수, 반사층과 하부전극층의 음향학적 경로를 나타내는 변수, 멤브레인층과 하부전극층의 변수를 계산함으로써 등가회로를 구성한다.본 기술은 전극층과 반사층 또는 멤브레인층과 같은 비압전층을 고려하여 스택결정필터(SCF:Stacked Crystal Filters)의 특성을 분석하기 위한 등가회로의 구성 방법에 관한 것으로서, 상부전극의 음향학적 경로와 하부전극 및 반사층, 기판의 음향학적 경로를 하나의 임피던스로 컴퓨트화하는 것을 특징으로 하는 브래그 반사층 구조와 멤브레인 구조의 SCF의 변형된 등가회로 구성 방법에 관한 내용이다.본 기술에 따른 의하면 컴퓨트화한 새로운 등가회로를 제공할 수 있고, Z 파라미터 및 S 파라미터 분석을 가능하게 하는 효과가 있다.