일반기술

전력전자소자의 개발을 의해 분자빔에 피박막 증착법을 사용 Si 기판위에 SiC에피박막

분자빔 에피박막증착법을 이용하여 저온에서 Si 기판 위에 고품위 3C-SiC 에피 박막성장과 SiC 에피 박막에 대한 재료의 기본 물성인, 구조적, 광학적, 전기적 특성 평가를 체계적으로 수행하였다. 또한 박막 내의 점결함, 계면 구조, 버퍼층에 대한 체계적인 연구를 통해 3C-SiC 에피박막 성장에 대한 기술을 확보하였다. ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------3C-SiC 에피 박막 성장 기술 확보- 초음파 및 레이저 분자빔 에피박막증착법 공정 확립- 성장 조건에 따른 박막의 결정성의 분석- 고에너지전자빔반사회절법(RHEED)을 사용하여 에피박막 성장 시 실시간으로 결정 구조 및 표면상태 관측- 3C-SiC 박막의 버퍼층 역할을 할 수 있는 탄소층과 SiC 층에 대한 연구 및 버퍼층이 3C-SiC 박막 성장에 미치는 영향을 체계적으로 규명하여 고품위 에피박막 성장을 가능하게 하는 버퍼층 개발 - Si 기재위에 3C-SiC 에피박막을 성장시키기 위하여 버퍼층 연구로서 사파이어 기재위에 MgO 이종에피박막 성장