일반기술

실리콘 나노결정의 양자점 형성방법

에피탁시 절연막위에 strain에 발생하는 전위(dislocation) 격자를 이용하여, 고밀도의 양자점을 형성한다.이때 에피탁시 절연막으로 Silicon 과 1.8%의 격자 상수의 차이를 가지는 SrTiO₃를 이용한다.이 경우 최대 약 3.3x10¹²/cm²의 양자점의 형성이 가능하다.또한 tilt wafer를 이용하여, step-edge에 양자점을 효과적으로 형성할 수 있다.형성된 양자점을 이용하여 비휘발 기억소자에 효과적으로 응용할 수 있다.기존 LPCVD를 이용하여 현재까지 알려진 공정의 경우, oxide위에 증착가능한 최대 dot denstiy가 일반적으로 3x10¹¹/cm²이하여서, 나노 기억 소자에 적용하기 위해 필요한 최소 dot density를 만족시킬수 없다.본 방법은 공정 최적화를 통해 oxide위에 필요한 충분한 양의 양자점을 고밀도로 형성 할 수 있다.에피탁시 절연막위에 strain에 발생하는 전위(dislocation) 격자를 이용하여, 고밀도의 양자점을 형성한다.이때 에피탁시 절연막으로 Silicon 과 1.8%의 격자 상수의 차이를 가지는 SrTiO₃를 이용한다.이 경우 최대 약 3.3x10¹²/cm²의 양자점의 형성이 가능하다.또한 tilt wafer를 이용하여, step-edge에 양자점을 효과적으로 형성할 수 있다.형성된 양자점을 이용하여 비휘발 기억소자에 효과적으로 응용할 수 있다.기존 LPCVD를 이용하여 현재까지 알려진 공정의 경우, oxide위에 증착가능한 최대 dot denstiy가 일반적으로 3x10¹¹/cm²이하여서, 나노 기억 소자에 적용하기 위해 필요한 최소 dot density를 만족시킬수 없다.본 방법은 공정 최적화를 통해 oxide위에 필요한 충분한 양의 양자점을 고밀도로 형성 할 수 있다.