일반기술

p형 질화감륨(GaN) 반도체의 오믹접촉형성을 위한 투명전극

본 발명은 질화감륨(GaN) 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드와 레이저다이오드의 구현에 있어서 선결 기술의 하나인 p형 질화감륨(GaN) 반도체의 오믹접촉형성에 관한 금속 및 아연산화물 박막의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에서는 p형 산화물 반도체을 형성 할 수 있는 니켈(Ni)을 질화갈륨 위에 접촉금속으로 하고, 고투명성 및 내산화성을 갖는 아연산화물(ZnO)을 캡핑(capping)층으로 하는 니켈(Ni)/아연산화물(ZnO)의 2층 전극막을 증착하여 발광다이오드 및 레이저다이오드용 전극막의 우수한 광학적, 전기적, 구조적 특성을 갖는 오믹접촉 아연 산화물계(ohmic scheme)을 구현하였다.본 발명은 질화감륨(GaN) 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드와 레이저다이오드의 구현에 있어서 선결 기술의 하나인 p형 질화감륨(GaN) 반도체의 오믹접촉형성에 관한 금속 및 아연산화물 박막의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 오믹 접촉 형성은 p형 질화감륨(GaN) 반도체를 이용한 발광다이오드 및 레이저다이오드의 상업화를 위한 핵심 기술들 중의 하나인 오믹전극공정 기술을 제공함으로써 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전기적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에, 발광다이오드 및 레이저다이오드의 개발에 이용 될 수 있다.