일반기술

반도체 공정을 이용한 충격센싱장치 및 그 제조방법

본 기술은 박막가공기술(Surface micromachining)을 이용하여 평면상에 대한 모든 방향의 충격을 감지할 수 있는 충격센서에 관한 것이다. 종래의 충격감지센서의 대부분은, 기계적인 요소를 사용하고 이러한 기계적인 요소의 위치변화에 의하여 전기적 신호를 발생시키도록 하고 있다. 따라서 대부분의 충격센서는, 기계적인 요소를 사용하고 있기 때문에, 그 크기와 무게에 있어서, 일정한 한계를 가지게 된다. 본 기술에 의한 반도체 충격센서는, 다결정실리콘으로 형성되는 충격센싱장치로써, 중심부분에 형성되는 중심전극, 중심전극에서 빔에 의하여 지지되고, 중심전극을 중심으로 원형으로배치되는 복수개의 이동평판, 이동평판 사이에 각각 배치되는 복수개의 고정평판, 이동평판은 고정평판 사이에서 떠 있는 상태로 지지되고, 충격에 의하여 고정평판과 접촉시 전류가 도통하는 것에 의하여 충격을 감지한다.- 본 기술에 의하면 복수개의 이동평판과 고정평판 사이의 전기적 접촉에 의하여, 외부의 충격을 감지하는 것에 의하여, 신뢰성 높은 충격감지가 가능하게 됨- 본 기술에 의한 장치는, MEMS기술을 이용하는 것으로, xy 평면상에서 어떠한 방향에서의 충격도 정확하게 감지하는 것이 가능함- 종래의 충격센서에 비하여 상대적으로 매우 소형이기 때문에 충격감지센서를 필요로 하는 공간에 구애되지 않고, 어떠한 위치에도 설치될 수 있음- 이동평판과 고정평판 사이의 커패시턴스의 변화를 감지하도록 응용하는 것에 의하여, 연속적인 가속도의 변화를 감지할 수 있는 응용성을 가짐