일반기술

스테레오리소그래피를 이용한 무마스크 패터닝방법

본 기술은 노광과정에서 마스크를 사용하지 않고 레이저빔을 이용하는 것에 의하여 소정의 패턴을 기판상에 형성할 수 있도록 구성되는 패터닝방법에 관한 것이다. 종래의 패터닝방법에 의하면, 반도체공정에서 다층공정으로 적층되는 층의 수에 해당하는 만큼의 포토마스크를 필요로 하게 된다. 따라서 새로운 반도체의 개발시 또는 MEMS(Micro Electro Mechanical System)의 개발 제작시에는 설계 상의 오류를 계속적으로 수정, 보완하는 개발과정이 필수적이기 때문에, 그 때 마다 포토마스크를 필요로 하는 비효율적인 단점이 있는 것이다. 본 기술에 의한 패턴형성방법은, 기판상에 광경화성 수지를 일정두께로 도포하는 제1과정, 도포된 광경화성 수지에서, 패턴에 대응하는 부분을 레이저빔에 의하여 경화시키는 제2과정, 제2과정에서 경화되지 않은 광경화성 수지를 제거하는 제3과정, 그리고 경화된 광경화성부분을 이용하여, 기판상에 에칭을 수행하여 패턴을 완성하는 제4과정으로 구성된다.- 본 기술에 의한 패터닝방법에 의하면, 실질적으로 마스크를 사용하지 않음- 개발과정에서 여러가지 패턴을 형성하기 위한 마스크의 불필요성에 의하여, 보다 간단하면서도 편리하게 패턴을 형성할 수 있게 됨- 반도체 디바이스 및 MEMS 등의 미세형상의 구현과 신제품 개발을 위한 기간의 단축 및 마스크의 불필요에 의한 경제적인 잇점이 있음- 노광과정에 의한 마스크를 사용하지 않고, 레이저빔을 이용하여 광경화성수지를 경화시키는 것에 의하여, 소정의 패턴을 형성할 수 있음