일반기술
반도체형 가스센서용 감지막 형성방법 및 반도체형가스센서 어레이
본 기술은 센서 기술에 관한 것으로, 반도체형 가스센서 기술에 관한 것이다. 본 기술은 촉매제가 균일하게 첨가된 SnO2계 감지막을 얻을 수 있는 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법을 제공하고, 반도체형 가스센서의 사이즈를 줄이고 제조 공정을 간소화할 수 있는 반도체형 가스센서 어레이를 제공하며, 목적을 달성하기 위한 기술은 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법에 있어서, 기판 상에 주석 박막을 형성하는 단계, 주석 박막 상에 촉매제 박막을 형성하는 단계, 주석 박막 촉매체 박막을 열산화하여 촉매제가 첨가된 산화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법에 관한 것이다.- 인간의 오감을 대체 하는 센서 시스템 중 가장 뒤쳐진 부분이 인각의 후각을 모방하는 시스템이며, 제안하는 기술에 따르면 가스센서의 감응도를 높이고, 센서 시스템의 크기를 축소하고, 제조 공정을 단순화할 수 있어 고기능 저가의 전자후각 모듈의 양산을 가능하게 하는 효과가 있음.- 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법에 있어서, 기판 상에 주석 박막을 형성하는 단계, 주석 박막 상에 촉매제 박막을 형성하는 단계, 및 주석 박막 및 촉매체 박막을 열산화하여 촉매제가 첨가된 산화주석 박막을 형성하는 단계를 포함하는 반도체형 가스센서용 감지막 형성방법을 제공함
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 한국기술거래사회
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-05-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.