일반기술
반응성 덴드리머와 스타버스트 화합물을 이용한 유전재료 및 박막제조방법
본 발명은 저유전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1의 유기치환체를 갖는 실란화합물(organosilane)을 말단으로 갖는 덴드리머(dendrimer) 또는 스타버스트(starburst)를 포함하는 저유전재료, 상기 저유전재료를 합성하는 방법 및 상기 저유전재료를 이용하여 초저유전박막을 제조하는 방법을 제공하고 있다: [화학식 1] (R1O)m(R2)nSiR3. 상기 식에서, m+n=3이고 m은 1, 2 또는 3이며, R1과 R2는 서로 독립적으로 C1-C10 지방족 알킬 그룹이며, R3는 비닐, 할로겐, 알콕시, 니트로, 니트릴, 아민, 아크릴옥시 또는 에폭시기 치환체를 말단으로 갖는 탄화수소이다.- 반도체 제조공정과 반도체 내구성에 요구되는 제반 특성이 우수하면서 낮은 유전율을 가지는 저유전재료의 제작 기술- 저유전재료를 이용하여 초저유전박막을 제조하는 기술
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
- 보유기관
- (재)포항산업과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-04-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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