일반기술
방사광을 이용한 극미세 오염분석기술
본 연구는 실리콘 웨이퍼 극미량 표면 불순물 검출, 1GDRAM등의 최첨단 반도체 소자 제조공정 감시, 고부가가치 표면처리강판 표면 극미세 조성 및 오염원 규명을 가능하게 하기 위함이다.- 단색광 선택,빔차폐 및 조절,전반사 조건 확보 -.최대 직경 8인치 시편 장입기술 -.1E9 atoms/㎠ 수준의 측정 검출능 확보
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 소프트 스위칭 기술
- 보유기관
- (재)포항산업과학연구원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2004-04-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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