일반기술

고유전율절연막 형성 방법

본 기술은 고유전율절연막 형성 방법에 관한 것으로, 차세대 반도체 소자용 게이트 절연막으로 유망한 고유전율 금속산화물의 증착시 중수(D₂O)를 산화용 개스로 이용함으로써, 기존 금속산화물의 문제점인 H₂O에 약한 수소 결합을 강한 중수소로 교체하여, 절연막의 신뢰성을 획기적으로 개선할 수 있다.또한, 차세대 반도체 소자용 게이트 절연막의 신뢰성을 획기적으로 개선할 수 있다.본 발명의 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법은 트랜치형 소자 분리막의 형성시, 삼중막 구조의 소자 분리막을 형성함으로써, 반도체 소자의 절연 특성을 개선시킬 수 있다.본 기술은 고유전율절연막 형성 방법에 관한 것으로, 차세대 반도체 소자용 게이트 절연막으로 유망한 고유전율 금속산화물의 증착시 중수(D₂O)를 산화용 개스로 이용함으로써, 기존 금속산화물의 문제점인 H₂O에 약한 수소 결합을 강한 중수소로 교체하여, 절연막의 신뢰성을 획기적으로 개선할 수 있다.또한, 차세대 반도체 소자용 게이트 절연막의 신뢰성을 획기적으로 개선할 수 있다.본 발명의 반도체 소자의 소자 분리막 형성 방법은 트랜치형 소자 분리막의 형성시, 삼중막 구조의 소자 분리막을 형성함으로써, 반도체 소자의 절연 특성을 개선시킬 수 있다.