일반기술

BCl3 프라즈마 가스를 근간으로 하는 광소자용 산화 아연 반도체의 이등방성 건식식각 방법

본 발명은 BCl₃을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 산화아연 반도체를 반응성 이온 식각하는 것을 특징으로 한다.이 때, BCl₃을 사용하는 이유는 산화 아연 반도체내의 산소성분과 아연 성분이 BCl₃플라즈마내의 BCl라디칼과 CI 라디칼과 결합하여 휘발성이 큰 유기금속 기체의 형태로 제거 되도록 함으로써 반응성 이온식각의 효율을 증대시키기 위함이다.본 발명의 BCl₃을 포함하는 기체를 플라즈마를 이용하여 산화 아연 반도체를 건식식각할 경우 빠른 식각 속도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 우수한 이방성을 얻을 수 있어, 산화 아연 반도체를 이용하여 광전소자 및 통신 소자 제작시 우수한 건식식각 공정을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.본 발명에 의한 식각공정을 이용하여 광소자 식각에 필수 요소인 빠른 식각률, 높은 이등방성, 깨끗한 side wall을 구현할 수 있어 Zn0를 기초로 하는 광전소자의 구현을 앞당길 수 있다.본 발명은 BCl₃을 포함하는 기체를 플라즈마 상태로 만들어 산화아연 반도체를 반응성 이온 식각하는 것을 특징으로 한다.이 때, BCl₃을 사용하는 이유는 산화 아연 반도체내의 산소성분과 아연 성분이 BCl₃플라즈마내의 BCl라디칼과 CI 라디칼과 결합하여 휘발성이 큰 유기금속 기체의 형태로 제거 되도록 함으로써 반응성 이온식각의 효율을 증대시키기 위함이다.본 발명의 BCl₃을 포함하는 기체를 플라즈마를 이용하여 산화 아연 반도체를 건식식각할 경우 빠른 식각 속도를 구현할 수 있을 뿐만 아니라 우수한 이방성을 얻을 수 있어, 산화 아연 반도체를 이용하여 광전소자 및 통신 소자 제작시 우수한 건식식각 공정을 제공할 수 있을 것으로 기대된다.