일반기술

발광다이오드 및 레이저 다이오드 구현을 위한 오믹접촉 금속 박막의 제조방법

본 발명은 질화갈륨 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드와 레이저다이오드의 구현에 있어서 선결 기술의 하나인 n형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉형성에 관한 금속박막의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에서는 전도성 질화물을 형성할 수 있는 바나듐을 질화갈륨위에 접촉금속으로 하고, 티타늄(Ti)을 중간층으로, 산화에 안정한 금(Au)을 캡핑(caping)층으로 하는 바나듐(V)/티타늄(Ti)/금(Au)으로 구성된 3층 금속 박막, 또는 Ti/V/Au 박막을 증착하여 발광다이오드 및 레이저다이오드용 금속박막의 우수한 열적, 전기적, 구조적 특성을 갖는 오믹접촉 금속계을 구현하였다.본 발명은 질화갈륨 화합물 반도체를 이용한 발광다이오드와 레이저다이오드의 구현에 있어서 선결 기술의 하나인 n형 질화갈륨 반도체의 오믹접촉형성에 관한 금속박막의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 의한 오믹접촉 형성은 p형 질화갈륨(DaN) 반도체를 이용한 발광다이오드 및 레이저다이오드의 상업화를 위한 핵심 기술들 중의 하나인 오믹전극공정 기술을 제공함으로써 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성과 같은 매우 우수한 전지적 특성으로 인한 전기적 손실의 감소로 광학적 효과도 매우 우수할 것으로 기대되기 때문에, 발광다이오드 및 레이저다이오드의 개발에 이용될 수 있다.