일반기술

고분자박막내에형성된나노결정체를이용한플로팅게이트를갖는플래쉬기억소자및그제조방법

실리콘 기판위에 일정두께의 금속을 증착한 다음 폴리아믹 산과 경화작용 과정을 통한 화학 반응에 의해 고분자 내에 자발 형성된 나노 결정체를 이용하여 플로팅게이트를 형성하였다. 나노 결정체는 형성 조건에 따라 크기나 모양의 제어가 가능하며, 본 발명이 제시하는 방법은 나노 플로팅 게이트를 가진 플래쉬 기억 소자 제작에 고가의 장비를 필요로 하지 않은 간단한 방법이다. 나노 플로팅 게이트를 가진 고효율 및 저비용 플래쉬 기억소자의 제작 가능성을 제시. 【요약】본 발명은 고분자 박막 내에 자발형성된 금속 또는 금속산화물 나노결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 갖는 고효율 저비용의 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 종래의 플래쉬 메모리 소자의 나노 결정체의 형성과정보다 매우 간단하게 나노 결정체를 형성할 수 있으며 전체적으로 균일한 분포를 가지는 결정체들이 고분자층으로 둘러쌓여있어 결정체의 응집현상 없이 나노 결정체의 크기나 밀도를 제어할 수 있으며 종래의 나노 플로팅 게이트보다 전기적으로나 화학적으로 안정성을 갖는 나노 플로팅 게이트를 이용함으로써 고효율 저비용의 나노 플로팅 게이트의 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공하는 효과가 있다.【도면의 간단한 설명】도 1은 폴리이미드 내에 형성된 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가지는 플래쉬 메모리 소자의 개략도이다.본 발명은 나노 기억 소자에서 중요한 나노 결정체의 크기 및 모양을 제어 할 수 있으며, 물질 특성상 전기적으로나 화학적인 안정성을 가진 나노 플로팅 게이트를 가진 플래쉬 기억소자의 제작. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로 별도의 터널 산화막의 형성이 필요없이 간단한 증착법과 열처리를 통해 고분자 내에 금속 또는 금속산화물 나노 결정체를 간단하게 형성함으로써 그 나노 결정체를 이용한 나노 플로팅 게이트를 가진 고효율 저비용의 플래쉬 메모리 소자 및 그 제조방법을 제공함을 목적으로 한다.