일반기술

CMP용 슬러리 및 그의 제조방법

본 발명은 다층 금속 배선 또는 게이트 구조를 갖는 반도체 소자의 제조 공정 중에서 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing ; 이하 ‘CMP’라 약칭함)공정에 사용되는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 차세대 0.05㎛ 이하의 디자인 룰을 가지는 초고집적 반도체 제조 공정에 필수적으로 적용되는 다마신 게이트(damascene gate) 공정을 위한 CMP 공정에 사용되는 슬러리 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 고려하여, 종래 기술에 속하는 공지된 여러 분산장비 및 분산기술을 적정하게 운용하여 0.25㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 다마신 게이트 공정을 위한 CMP 공정에 필수적인, 산화막에 비해 질화막의 연마율이 높은 고성능 슬러리 및 그의 구체적인 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.산화막과 질화막에 대한 역선택비 특성이 나며 공정에서 요구되는 금속층의 보호에 탁월한 성능을 가짐【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 고려하여, 종래 기술에 속하는 공지된 여러 분산장비 및 분산기술을 적정하게 운용하여 0.25㎛ 이하의 초고집적 반도체 제조공정 중 다마신 게이트 공정을 위한 CMP 공정에 필수적인, 산화막에 비해 질화막의 연마율이 높은 고성능 슬러리 및 그의 구체적인 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 다른 목적은 종래의 공정을 통한 금속 게이트를 형성 시 발생하는 금속층의 손상 문제를 해결할 수 있는 새로운 개념의 다마신 게이트 공정용 CMP용 슬러리 및 그의 제조법을 제공하는 것이다.