일반기술

기공형성용 템플레이트로 유용한 사이클로덱스트린 유도체와 이를 이용하여 제조된 저유전체

본 발명은 기공형성용 템플레이트로 유용한 알콕시실란사이클로덱스트린 유도체 및 저유전 매트릭스를 사용하여 제조한 초저유전막에 관한 것으로서, 특히 상기 사이클로덱스트린 유도체 자체를 졸-젤 반응하여 기계적 특성이 매우 우수하고 나노기공을 함유한 실리케이트 저유전 매트릭스를 제조하였다.본 발명에서 제조한 초저유전막 혹은 상기 사이클로덱스트린 유도체 자체를 졸-젤 반응하여 제조한 실리케이트 저유전 매트릭스는 기계적 특성 및 유전특성이 매우 우수하여 구리 배선용 층간 저유전막으로서 사용이 가능할 것으로 기대된다.본 발명에서 제조한 기공형성용 템플레이트인 알콕시실란사이클로덱스트린 유도체는 저유전 매트릭스와 우수한 상용성으로 인하여 51% 정도의 높은 공극률 및 1.6의 낮은 유전율을 갖는 초저유전막 제조가 가능하다. 또한 상기 템플레이트 자체를 졸-젤 반응을 통하여 기계적 특성이 우수하고 유전율이 낮은 나노기공을 함유한 실리케이트 저유전 매트릭스를 제조하였다.저유전체의 세계시장은 2005년에 약 ＄ 380 millon 이상이 될 것으로 예측되고 있으며, 저유전물질이 구리칩에 본격적으로 사용하게 되는 2005년 이후에는 가히 폭박적으로 그 수요가 늘어날 것으로 기대된다. 또한 국내에서는 삼성, LG 및 현대 하이닉스에서 구리배선용 저유전물질을 개발하는 중이며, 이는 국내 메모리 분야와 함께 엄청나게 큰 규모의 시장이 예상된다.본 발명에서 제조한 초저유전막은 0.1 μm 이하의 구리배선용 층간 저유전물질로서 사용이 가능하며, 특히 국내 현대 하이닉스반도체에서 개발중인 70 nm급 logic device에 적용가능할 것으로 기대된다.