일반기술

원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 노광 공정용 반사형 다층박막미러의제조방법

본 발명은 원자력간 현미경(atomic force microscope; AFM)을 이용하여 차세대 노광 공정 마스크 중의 하나인 극자외선(extreme ultraviolet radiation; EUV) 노광 공정용 반사형 다층 박막 미러를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 기판의 다층 박막 구조 위에 증착시킨 흡수체(absorber) 물질의 패터닝(patterning)시에 원자력간 현미경의 탐침(cantilever tip)과 흡수체 물질간의 양극산화현상을 이용하여 기판으로부터 소정 높이와 폭을 가지는 금속 산화물 구조층을 형성시키고 이어 이 금속 산화물 구조층을 식각 처리하여 초미세 선폭의 흡수체 패턴을 형성, 제조하게 되는 원자력간 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 노광 공정용 반사형 다층 박막 미러의 제조방법에 관한 것이다.이러한 본 발명의 제조방법에 의하면, 높은 해상도를 가지는 극자외선 노광 마스크 미러를 제조할 수 있는 장점과 함께 기존의 제조방법에 비해 미세한 흡수체 패턴 사이즈(선폭 30nm 미만)를 가지는 반사형 다층 박막 미러를 제조할 수 있는 장점이 있다.기존의 마스크의 미세 패턴은 electron beam을 이용하여 30 nm정도 미세 패턴을 구현한 것에 비해서, 본 발명은 AFM 리소그래피를 이용하여 패턴 사이즈를 수 nm 이하로 줄일 수 있음. 【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 기존 전자선 리소그래피 방식의 미세 선폭 구현의 한계를 벗어나 원자력간 현미경을 이용하여 흡수체 패턴을 최소 수 nm까지 구현할 수 있는 극자외선 노광 공정용 반사형 다층 박막 미러의 제조방법을 제공함으로써, 박막 미러의 흡수체 패턴 사이즈를 획기적으로 줄일 수 있을 뿐만 아니라 고가의 전자선 리소그래피 장치와 고진공의 상태를 필요로 하지 않고 대기 중에서도 마스크를 제작할 수 있도록 하는데 그 목적이 있다.