일반기술

알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자 및 그 제조방법

본 발명의 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자는 기판, 기판의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 1 자성박막, 제 1 자성박막의 상면에 원자층 증착법에 의해 형성되는 알루미늄 산화막, 알루미늄 산화막의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 2 자성박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.기판의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 1 자성박막, 제 1 자성박막의 상면에 원자층 증착법에 의해 형성되는 알루미늄 산화막, 알루미늄 산화막의 상면에 스퍼터링에 의해 형성되는 제 2 자성박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 액세스 메모리 소자를 만들 수 있다. 알루미늄 산화막 증착방법은 원자층 증착법 또는 플라즈마 원자층 증착법일 수 있으며, 알루미늄 산화막의 알루미늄 소스는 TMA(Trimethylaluminum) 또는 DMAI(Dimethylaluminumisopropoxide)일 수 있다. 알루미늄 산화막의 증착온도는 100℃ 내지 250℃일 수 있으며, 원자층 증착법에 적용되는 반응가스는 O2, O3, N2O, H2O, H2O2 중 어느 하나일 수 있다. 제 1 및 제 2 자성박막은 CoFe, Co, NiFe 중 어느 하나일 수 있다 상․하부의 양 자성막 사이에 알루미늄 산화막을 원자층 증착법 또는 플라즈마를 이용한 원자층 증착법으로 1Å단위의 정밀한 두께조절과 함께, 저온 공정을 위해 DMAI 소스를 이용함으로써 고온 공정에 의한 자성막의 열화를 원천적으로 방지할 수 있다.【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 본 발명의 목적은 원자층 증착법과 TMA 및 DMAIP 소스를 적용함으로써, 저온 증착을 실현하며, 증착되는 산화막의 밀도를 향상시킬 수 있는 알루미늄 산화막을 이용한 자기 랜덤 엑세스 메모리 소자를 제공하고자 하는데 있다.본 발명의 다른 목적과 특징들은 이하에 서술되는 바람직한 실시예를 통하여 보다 명확하게 이해될 것이다