일반기술

ＦＡＬＣ 공정을 이용한 다결정 실리콘 ＴＦＴ-ＬＣＤ 어레이 기판 제조방법

본 발명은 FALC 공정을 이용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 TFT 채널 영역의 결정화 시간을 최소화 할 수 있는 제조방법에 관한 것이다. 기존의 결정화 방법은 기판 상에 배열된 각 TFT 내 비정질 실리콘 박막의 소스 영역과 드레인 영역으로 직접 전계를 인가하고 동시에 열처리를 수행하여 비정질 실리콘 박막을 결정화 하는 방식이었으나, 양산성을 고려할 때 결정화 시간의 최소화 문제가 선결과제로 남아 있었다. 이를 해결하기 위한 본 발명의 제조방법은, 결정화를 위한 열처리시에 소스 영역과 드레인 영역으로 직접 전계를 인가하는 것과 병행하여 각 TFT의 게이트 전극에 공통 연결된 게이트 신호 배선에는 문턱전압 이상의 전류를 인가함으로써, 채널 영역에 흐르는 전류의 세기를 기존 전계만 인가하였을 때에 비해 크게 증가시키고, 이를 통해 TFT 채널 영역의 결정화 시간을 최소화 하는데 그 주된 특징이 있다.각 TFT소자의 채널영역에 흐르는 전류의 세기를 조절하여 결정화 시간을 최소화함【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 특히 TFT 채널 영역의 결정화 시간을 최소화 할 수 있는 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 제조방법은, 결정화를 위한 열처리시에 소스 영역과 드레인 영역으로 직접 전계를 인가하는 것과 병행하여 각 TFT의 게이트 전극에 공통 연결된 게이트 신호 배선에는 문턱전압 이상의 전류를 인가함으로써, 채널 영역에 흐르는 전류의 세기를 기존 전계만 인가하였을 때에 비해 크게 증가시키고, 이를 통해 TFT 채널 영역의 결정화 시간을 최소화 하는데 그 주된 특징이 있다.