일반기술

반도체 소자의 구리 합금배선 형성방법

본 기술은 반도체 메모리소자로 사용되는 디램의 구리 합금배선 형성방법에 관한 것이다. 본 기술은 실리콘 웨이퍼위에 실리카를 증착한 후 구리 배선위치를 식각하여 확산방지막을 증착시키는 단계와 상기의 확산방지막층을 O2 플라즈마 처리 대기중에 노출시킨 후 합금원소가 첨가된 구리 박막을 증착하여 합금배선을 형성하는 단계, 상기의 구리 합금배선 측벽에 합금원소의 산화막을 형성하기 위하여 열처리하는 단계로 구성되는 형성방법에 관한 것이다.- 반도체 소자의 구리 합금배선 형성방법은, 구리에 Li, Np, Pu, Al, Mg, Ce, Eu, Pr, Ca, La, Nd, Sm등의 합금원소를 첨가하여 제조한 합금배선 측벽에 산화막을 형성시킴으로써 Cu가 절연막으로 확산되는 것을 방지함.- 기존의 확산방지막의 확산방지능력을 향상시킬 수 있음.- 기존의 확산방지막으로 사용되는 TiN, Ti, Ta, TaN, W, WN 및 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)을 그대로 이용함에 따라 반도체 공정을 단순화하는 데에 유용하게 사용됨