일반기술

탄소 나노튜브의 후처리방법 및 이를 이용한 탄소 나노튜브 제조방법

본 발명은 탄소나노튜브의 제조방법에 관한 것으로서, 기판 상에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계와, 상기 탄소나노튜브의 표면에 자외선펄스 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 탄소나노튜브 제조방법을 제공한다.본 발명에 따르면, 탄소나노튜브의 고유의 물성을 변형시키지 않고, 탄소나노튜브의 오염물질을 간단하며, 효과적이고 경제적으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 특성과 응용가능성을 향상시킬 수 있다. ① 자외선 펄스 레이저의 후-처리를 이용한 탄소나노튜브의 특성향상② 탄소나노튜브의 고유특성의 변형이 없는 후-처리 공정① 자외선 펄스 레이저의 사용으로 탄소나노튜브의 변형없이 결함물질만 제거함② 한번의 후-처리 공정으로 모든 탄소나노튜브 응용분야에 이용가능 본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은 탄소나노튜브의 원하는 전기적 특성을 유지하면서 그 단부에 존재하는 이물질을 제거하기 위해 자외선 펄스 레이저를 이용하는 탄소나노튜브의 후처리공정을 제공한다.또한, 본 발명의 다른 목적은 자외선을 이용한 탄소나노튜브의 후처리공정을 통해 우수한 탄소나노튜브를 얻을 수 있는 새로운 탄소나노튜브 제조방법을 제공한다.