일반기술

나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법

본 발명은 화학기계적 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 웨이퍼의 표면에 형성되는 나노토포그라피(nanotopography)의 효과를 보상할 수 있는 슬러리 조성물과 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법에 관한 것이다.화학기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing; CMP)는 가압된 웨이퍼와 연마패드 사이에 존재하는 연마제에 의한 기계적인 가공과 슬러리의 케미컬에 의한 화학적 에칭이 동시에 일어나는 반도체 가공기술의 한 분야로서, 서브마이크론 스케일의 반도체 칩의 제조에 있어서 광역평탄화(Global Planarization) 기술의 필수 공정으로 자리잡고 있다.슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 웨이퍼의 표면에 존재하는 나노토포그라피 효과를 최대로 보상할 수 있는 화학기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공하는 데 있다. 본 발명의 다른 목적은, 상기 본 발명의 슬러리 조성물을 사용하여 반도체소자의 표면을 평탄화하는 방법을 제공하는 데 있다.