일반기술

ＦＡＬＣ 공정을 이용한 다결정 실리콘 ＴＦＴ-ＬＣＤ 어레이 기판의 제조방법

본 발명은 FALC 공정을 이용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법에 관한 것으로, 결정화 촉매로 사용되는 금속층을 비정질 실리콘 박막의 소스 및 드레인 영역 중에 후공정인 FALC 공정시 (-)가 걸리게 될 어느 한쪽의 영역에만 선택적으로 증착시켜 제조함으로써 결정화 이후 TFT 채널 영역 내에 존재하는 금속 불순물을 줄일 수 있고, 각 TFT 내에서 소스 및 드레인 영역에 연결된 양쪽 전극의 마주보는 일측 형상을 가운데가 볼록한 형상으로 변경하여 FALC 공정시 채널 영역 내 전계 세기와 방향을 최적화 함으로써 TFT 채널 영역의 결정화 결함을 최소화 하여 제조할 수 있는 FALC 공정을 이용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법에 관한 것이다.소스와 드레인영역 중 한쪽에만 결정화촉매를 증착소스와 드레인영역에 접촉해있는 전극의 모양을 직사각형에서 라운드형으로 수정【발명이 이루고자 하는 기술적 과제】따라서, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로서, 결정화 촉매로 사용되는 금속층을 비정질 실리콘 박막의 소스 및 드레인 영역 중에 후공정인 FALC 공정시 (-)가 걸리게 될 어느 한쪽의 영역에만 선택적으로 증착시켜 제조함으로써 결정화 이후 TFT 채널 영역 내에 존재하는 금속 불순물을 줄일 수 있고, 각 TFT 내에서 소스 및 드레인 영역에 연결된 양쪽 전극의 마주보는 일측 형상을 가운데가 볼록한 형상으로 변경하여 FALC 공정시 채널 영역 내 전계 세기와 방향을 최적화 함으로써 TFT 채널 영역의 결정화 결함을 최소화 하여 제조할 수 있는 FALC 공정을 이용한 저온 다결정 실리콘 TFT-LCD 어레이 기판의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.