일반기술

양자점 형성방법, 그를 이용하여 제조된 자성체막 및 반도체막

【요약】본 발명은, 양자점 형성방법, 그를 이용하여 제조된 자성체막과 반도체막에 관한 것으로, 기판 상에 자성체막 또는 반도체막을 형성하는 단계와, 상기 막 중 적어도 일부 영역에 약 30mJ/㎠ 내지 약 300mJ/㎠의 에너지가 적용되도록, 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 양자점 형성방법을 제공한다.본 발명의 양자점 형성방법에 따르면, 자성체막 또는 반도체막에 레이저를 조사함으로써 균일한 분포를 갖는 양자점을 형성할 수 있다. 본 발명에 따른 방법은, 그 공정이 간소하고 재현성도 우수할 뿐만 아니라, 막 두께를 고려하여 레이저 출력 및 레이저 스캔횟수 등의 조사조건을 조정함으로써 양자점의 크기 및 배열상태를 용이하게 제어할 수 있다는 효과가 있다.① 레이저의 순간적인 에너지를 이용하여 자성 양자점 형성【발명의 구성】본 발명은, 기판을 마련하는 단계와, 상기 기판 상에 자성체막을 형성하는 단계와, 상기 자성체막 중 적어도 일부 영역에 약 30mJ/㎠ 내지 약 300mJ/㎠의 에너지가 적용되도록, 레이저를 조사하는 단계를 포함하는 양자점 형성방법을 제공한다.여기서, 상기 자성체막은 Co, Ni, Fe 및 그 합금으로 구성된 그룹으로부터 선택된 자성체로 이루어질 수 있으며, 상기 자성체막은 약 5Å보다 크고 약 50Å이하의 두께인 것이 바람직하다. 본 발명의 바람직한 실시형태에서는, 양자점이 형성될 자성체막의 탈자를 방지하기 위해서, 상기 레이저를 조사하는 동안에, 상기 자성체막에 자기장을 인가하는 단계를 더 포함할 수 있다.