일반기술

금속 분말을 이용한 양자점 형성방법

본 발명은 금속 분말을 이용한 양자점 형성방법에 관한 것으로서, (a) 금속 분말을 절연전구체 용액과 교반하여 반응시키는 단계; (b) 상기 금속 분말이 용해된 절연전구체 용액을 원하는 모양으로 형성하는 단계; 및 (c) 원하는 모양으로 금속 분말이 용해된 절연체전구체를 단계적으로 최고온도가 200℃ 내지 500℃가 되도록 열처리하여 절연체내에 금속산화물 양자점을 형성하는 단계; 를 포함한다. 바람직하게는 상기 절연체 전구체는 구리, 아연, 주석, 코발트, 철, 카드늄,납, 마그네슘, 베륨, 몰리브덴, 인듐, 니켈, 텅스텐, 비스무트, 은 으로 이루어지는 금속분말과 이들의 합금을 특징으로 하는 양자점 형성 방법이다.바람직하게는 상기 절연체전구체는 금속을 용해할수 있는 산성 전구체로 한다. 바람직하게는 상기 (b) 단계 이후에 금속 분말이 용해된 절연체 전구체 교반된 용액이 도포된 기판을 80℃ 내지 150℃로 중간 열처리를 수행하는 단계를 더 포함한다.공정의 용이하며 원천기술로서 응용 가능성이 높음【발명이 이루고자하는 기술적 과제】 본 발명의 목적은, 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 기존 기술과 비교할 때 공정단계가 간단하여 경제적으로 양자점을 형성 하고자 하는 것으로 금속 박막을 형성할 필요가 없으며 액체상에서 도포가 가능하므로 스핀코팅(Spin coating), 스프레이(Spray), 캐스팅(casting) 등의 방법을 통해 양자점을 포함하는 재료를 원하는 형상으로 제조 가능하며 동시에 대면적에 도포가 가능하다. 또한 평평한 기판 이외에 굴곡이 있는 면 뿐만 아니라 제팅(jetting), 디스펜싱(dispencing) 방법 등을 이용하면 선택된 부분만 양자점 형성이 가능하다.본 발명의 또 다른 목적은, 열처리 조건, 용매의 비율, 금속 분말의 양을 조절하여 생성되어지는 나노 입자의 크기와 밀도를 제어함에도 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 금속 분말의 양 조절, 용매의 종류와 양을 조절, 미리 금속분말과 전구체를 반응시키는 방법들에 의하여 생성되는 양자점들의 밀도를 제어함에도 있다. 본 발명의 또 다른 목적은, 용이하게 극미세 및 균일한 양자점을 형성함에도 있다.