일반기술

리소그라피용 유기초박막

본 기술은 리소그라피용 유기초박막에 관한 것으로서, 화학식 1로 표시되는 술폰산염 유기물, 화학식 2로 표시되는 아조화합물 또는 화학식 3으로 표시되는 유기 고분자를 고체 기판 표면에 코팅하여 형성된 박막으로, 박막의 두께가 수 nm 수준으로 얇고 표면이 균일하므로 전자 디바이스의 제조나 미세 가공 기술분야에서 활용될 수 있는 리소그라피용 유기초박막에 관한 것이다. 회전 도포 법을 이용하여 단분자 유기화합물,단분자 유-무기 화합물 및 고분자를 고체기판 표면 위에 수 nm 수준의 균일한 극 초 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다. 일반적으로 고체 표면 위에 박막을 형성하는 방법으로는 CVD (chemical vapor deposition)법, 스퍼터링 법, LB(Langmuir-Blodgett) 법, SA(self-assembly)법 그리고 회전 도포 법이 있다. 회전도포법은 여러 박막 형성법 중 가장 쉽게 대면적으로 빠르게 박막을 형성 한다는 장점을 가지고 있다. 하지만 회전도포법에 의해 만들어진 막의 경우에 그 박막의 두께가 중심부와 바깥부분이 다를 수 있다. 본 기술은 스핀 코터를 이용하여 화학식 1과 같은 유기물과 화학식 2와 같은 유-무기 착 화합물 및 화학식 3과 같은 고분자를 특정 용매에 용해하여, 실리콘과 같은 고체 표면 위에 화합물 용액을 적절한 속도로 회전 도포한 후, 적절한 온도에서 가열함으로써 수 nm 수준으로 균일하게 초 박막을 제조하는 방법에 대한 기술이다.