일반기술

전자조사와 어닐링에 의한 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합특성 변환 방법

본 발명은 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법에 관한 것으로서, 반도체 소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및 상기 전자가 조사된 반도체 소자를 수소 또는 질소의 분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하여, 상기 반도체 소자의 광학적 특성을 간접형에서 직접형으로 변환시키고, 소수캐리어 재결합특성을 빠르게 하는 것을 특징으로 한다. 이와 같은 반도체 소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법을 태양전지, 전력반도체소자, 발광소자와 수광소자에 적용시켜 광흡수특성을 변화시킴으로써 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 발광 및 수광소자의 발광 및 수광 특성을 향상시킬 수 있다.반도체소자에 500 keV 이하의 에너지를 갖는 전자를 1×1016 ~ 1×1020 e/cm2 의 조사량으로 조사하는 단계; 및 상기 전자가 조사된 반도체소자를 수소 또는 질소분위기에서 300 ~ 700 ℃의 온도로 어닐링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합특성 변환방법. 이와 같은 반도체 소자의 광학적 특성 및 소수캐리어 재결합 특성 변환방법을 태양전지, 전력반도체소자, 발광소자와 수광소자에 적용시켜 광흡수특성을 변화시킴으로써 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있을 뿐 아니라, 발광 및 수광소자의 발광 및 수광 특성을 향상시킬 수 있다.